半導體材料開發中的「材料 x 製程」設計及 J-OCTA/ASAP 的應用

發表日期:2026/05/14

在半導體材料開發領域中,我們經常聽到這樣的聲音:「我們可以篩選出候選材料,但無法完全預測它們在實際製程中的表現。」「除了電氣特性之外,界面行為、熱特性與機械可靠性同樣必須納入考量。」


近年來,隨著元件微縮化與先進封裝技術快速演進,材料評估的重點已不再侷限於材料本身的物理特性,更需要深入理解其在實際製程環境與界面中的行為表現。

許多人提到「半導體」時,首先聯想到的是矽材料本身,或元件的電子特性。然而在實際開發現場中,光阻、絕緣材料、封裝/底部填充材料、散熱複合材料以及清洗液等周邊材料的設計,同樣會對元件性能與長期可靠性帶來重大影響。例如,在微影與微加工領域中,薄膜形成過程與材料變異性會直接影響圖案品質;而在先進封裝領域,熱穩定性、應力穩定性以及界面可靠性則成為關鍵課題。


J-OCTA 建立了從原子/分子尺度到微米尺度的多尺度模擬模型,有助於理解那些難以透過實驗直接觀察的結構與現象。此外,透過與第一原理電子態計算軟體 ASAP 的連結,可將第一原理計算結果應用於經典分子動力學模擬,並將 ASAP 的分析結果作為 J-OCTA 的計算參數,進一步提升材料分析的精度。

值得注意的是,這些挑戰並不僅由材料的化學結構所決定。分子與界面的相容性、薄膜內部形成的結構、填料分散狀態,以及熱流傳導方式,都是影響最終性能的重要因素。J-OCTA/ASAP 透過分子層級的資訊解析,為材料理解與實際設計之間建立更具工程價值的橋樑。


J-OCTA 所公開的案例研究涵蓋多項重要主題,包括:


Δ熱固性樹脂的交聯結構形成

Δ玻璃化轉變溫度(Tg)分析

Δ彈性模量與導熱係數評估

Δ聚合物介電弛豫行為

Δ聚合物-固體界面分層現象

Δ填料/樹脂複合材料的導熱分析

Δ涉及溶劑蒸發的薄膜形成過程模擬 


雖然這些案例並非全部直接針對半導體應用,但在「介電特性」、「界面行為」、「熱管理」、「薄膜形成」以及「複合材料結構」等半導體材料開發中高度關鍵的領域,皆具有高度參考價值。尤其在封裝材料與底部填充材料所使用的熱固性樹脂方面,J-OCTA 已累積相當成熟的分析經驗。

此外,J-OCTA MI-Suite 亦提供機器學習功能,可利用分子結構、晶體結構及各種條件作為解釋變數來預測材料物性,同時支援逆向分析與預訓練模型應用其核心價值在於:能夠先透過資料驅動方式快速縮小候選材料範圍,再利用模擬驗證其結構形成、界面行為與熱特性。這不僅有助於加速早期開發決策,也能更有效率地安排試作與評估資源。

在半導體材料開發中,除了「找到性能優異的材料」之外,更重要的是及早確認:「這項材料是否真正適用於實際製程環境?」


J-OCTA 與 ASAP 正是支援此類材料決策的重要工具。我們亦可依據不同主題,提供相關案例研究與技術分享,包括:


Δ光阻材料

Δ絕緣材料

Δ封裝/底部填充材料

Δ散熱材料 


未來我們也將持續分享有助於材料開發的技術趨勢與應用技巧。若您有希望深入了解的主題,也歡迎隨時與我們交流。